ヒ化アルミニウム

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ヒ化アルミニウム(ヒかアルミニウム、: aluminium arsenide)は、化学式 AlAs で表される、アルミニウムヒ化物である。主に半導体材料として用いられる。格子定数ヒ化ガリウムヒ化アルミニウムガリウムと同じであり、バンドギャップはヒ化ガリウムより広い。

物理的性質

[1]

脚注

  1. L. I. Berger "Semiconductor materials" CRC Press, 1996 ISBN 0849389127, 9780849389122 (available on google books), p. 126